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最大功率
555W
组件效率
21.5%
功率公差
0~+5W
额定工作温度
43±2℃
优秀的抗PID性能
优选的封装材料和严格的工艺方案，通过TUV三倍于行业标准的PID加严测试（85℃/85%RH，288H）
优越的载荷能力
整体组件通过2400Pa的风载荷和5400Pa雪载荷认证测试
多主栅半片电池技术
多主栅半片电池技术，叠加应用182大硅片掺镓技术，有效降低内阻损耗和光学损耗，提升功率输出
高发电性能
全新电路设计，应用高密度封装技术；优异的温度系数和更好的抗阴影遮挡能力以及行业领先的LID和LeTID性能，匹配兼容市场主流跟踪支架，具有更高的发电性能
